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首頁(yè) 愛(ài)普生晶振

EPSON晶體,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

壓電石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

愛(ài)普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,(32.768KHZ)系列出名,目前愛(ài)普生品牌遍布全世界,而千赫茲的壓電石英晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域.是對(duì)應(yīng)陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶體諧振器(偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)電話等.等用途.

愛(ài)普生株式會(huì)社愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON — YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)有源晶振,1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

EPSON晶體,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振,超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題,公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

小型貼片有源晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),貼片高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

愛(ài)普生晶振規(guī)格

SG-210SEBA晶振

驅(qū)動(dòng)輸出

CMOS

常用頻率

2~60MHZ

工作電壓

+1.8V(代表値)
電源電圧は+1.7V+3.3V範(fàn)囲の任意の電圧で動(dòng)作可能

靜態(tài)電流

(工作時(shí))+1.2 mA max. (F15MHz)+1.4 mA max. (15F26MHz)
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時(shí))+1μA以下

TCXO輸出電壓

0.8Vp-p min.

TCXO輸出負(fù)載

10kΩ//10pF) ±10

常規(guī)溫度偏差

±20/30/50×10-6(After 2 reflows)

頻率溫度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション)

愛(ài)普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG-210SDBA 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 125 °C +/-100 ppm ≤ 3.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
SG-210SDBA 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
SG-210SDBA 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 125 °C +/-100 ppm ≤ 3.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
SG-210SDBA 24.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
SG-210SEBA 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 105 °C +/-100 ppm ≤ 2.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
SG-210SEBA 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 125 °C +/-100 ppm ≤ 2.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
SG-210SEBA 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 125 °C +/-100 ppm ≤ 2.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
SG-210SEBA 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 2.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
愛(ài)普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G004601A007 SG-210SDBA 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 125 °C +/-100 ppm ≤ 3.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
X1G004601A008 SG-210SDBA 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
X1G004601A009 SG-210SDBA 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 125 °C +/-100 ppm ≤ 3.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
X1G004601A010 SG-210SDBA 24.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
X1G004611A002 SG-210SEBA 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 105 °C +/-100 ppm ≤ 2.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
X1G004611A003 SG-210SEBA 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 125 °C +/-100 ppm ≤ 2.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
X1G004611A004 SG-210SEBA 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 125 °C +/-100 ppm ≤ 2.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %
X1G004611A005 SG-210SEBA 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 2.0 mA +/-3ppm 40 to 60 %

SG-210SEBA SDBA SCBA 2520 COMS

存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存貼片有源晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振

機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)石英晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于進(jìn)口振蕩器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。

驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).EPSON晶體,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振

20181212163938

測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量2520mm振蕩器頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線).

20181212163902

振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到四腳金屬面SMD晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。

角色的分量與參考值:在2520小尺寸晶體振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

20181212163852

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