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SP300石英晶體振蕩器,日本納卡晶振,SPXO晶振

頻率：1~125MHZ

尺寸：3.2*2.5mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-27837162

SP300石英晶體振蕩器,日本納卡晶振,SPXO晶振，納卡晶振發(fā)展歷程：
1979年1月10日   公司成立，都澀谷區(qū)道玄坂東京二丁目19版號(hào)設(shè)立了306獅子公寓號(hào)注冊(cè)，實(shí)收資本100萬(wàn)日元的贊助資金4000000日元
1979年8月資本金增加至1800萬(wàn)日元，實(shí)收資本400萬(wàn)日元
1981年11月   搬遷到東京都澀谷區(qū)13-10東3丁目北澤工業(yè)大樓3樓
1994年4月搬遷至神奈川縣橫濱市中川都筑區(qū)1-17-22
1995年8月實(shí)收資本1000萬(wàn)日元
2007年11月1日搬遷到神奈川縣橫濱市港北區(qū)的Shinyoshida-cho 6061
2008年2月13日 “神奈川標(biāo)準(zhǔn)”認(rèn)證
2009年3月31日   在神奈川縣橫濱市港北區(qū)新Shin町570號(hào)的總公司工廠(chǎng)的建設(shè)
2014年6月30日   在東京都千代田區(qū)黑部4-11 - 11成立新公司·Naka＆Co.，Ltd。（資本5000萬(wàn)日元）
7月22日繼承前·納卡公司的所有業(yè)務(wù)和資產(chǎn).SP300石英晶體振蕩器,日本納卡晶振,SPXO晶振.

SP300石英晶體振蕩器,日本納卡晶振,SPXO晶振，小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
SP300石英晶體振蕩器,日本納卡晶振,SPXO晶振，貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

項(xiàng)目/ item	Min	Max	単位 / unit	Note
電源電圧 Power Supply voltage	+3.3, +2.8, +2.5, +1.8		V	--
出力周波數(shù) Frequency range	1	125	MHz	--
周波數(shù)安定度 Freq. Overall tolerance	±25, ±50		10-6	-10～+70℃
	±25, ±50		10-6	-40～+85℃

抗沖擊
  貼片石英晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英無(wú)源晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）SP300石英晶體振蕩器,日本納卡晶振,SPXO晶振.
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
靜電,
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。