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大真空晶體,DT-26插件圓柱晶體,1TD125BHNS001晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2.0*6.0mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

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大真空晶體,DT-26插件圓柱晶體,1TD125BHNS001晶振，石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

項(xiàng)目

型名

DT-38

DT-381

DT-26

DT-261

周波數(shù)範(fàn)囲

32.768kHz

負(fù)荷容量

12.5pF

勵(lì)振レベル

1.0μW（2.0μW max.）

周波數(shù)許容偏差

±10×10−6 （at 25℃）

直列抵抗

30kΩ max. (2)

40kΩ max. (2)

頂點(diǎn)溫度

＋25℃±5℃

二次溫度係數(shù)

−0.04×10−6/℃ 2 max.

動(dòng)作溫度範(fàn)囲

−10 ~＋60℃

保存溫度範(fàn)囲

−20 ~＋70℃

並列容量

1.3pF typ.

(2)

1.1pF typ.

(2)

1.電源旁路電容在使用晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英貼片晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.大真空晶體,DT-26插件圓柱晶體,1TD125BHNS001晶振.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致貼片石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.
6：靜電

過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明石英晶振單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致KDS晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG×CD/（CG+CD）+CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

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頻率和負(fù)載電容特征圖器

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JLX-6

RB-6

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公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司

聯(lián)系人：茹紅青

手機(jī)：13510569637

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