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村田晶振,貼片晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振
頻率：9MHZ
尺寸：3.2*1.3mm
三腳陶瓷貼片晶振是指晶振內(nèi)部本身有自帶負(fù)載電容的陶瓷些振器, “壓電陶瓷”, 與CR,LC電路不同,陶瓷振蕩子利用的是機(jī)械諧振而不是像壓電石英晶振一樣電諧振的方式起振.這意味著它基本上不受外部電路或電源電壓波動的影響.從而可以制作成無需調(diào)整的高度穩(wěn)定的振蕩電路.作為微處理器在電路中使時(shí)鐘振蕩器的匹配最適合的元件,并且得到了廣泛應(yīng)用.ZTT三腳晶振產(chǎn)品系列可用于振蕩電路設(shè)計(jì),無需外部負(fù)載電容器,既獲得了高密度安裝,又降低了成本.
世界經(jīng)濟(jì)的前景雖不明朗，但電子設(shè)備社會正在迅速、切實(shí)地向前發(fā)展。而這樣的變化也為村田帶來了新的商機(jī)。村田石英晶振制定了新的“中期構(gòu)想2018”以及“長期構(gòu)想”，指明了為電子設(shè)備社會的發(fā)展做貢獻(xiàn)的未來發(fā)展之路。自1944年創(chuàng)業(yè)以來，村田得到了巨大的發(fā)展，在2013年度制定的中期構(gòu)想最終年度的2015年度，營業(yè)額達(dá)到了在村田的歷史上具有里程碑意義的萬億日元。在此衷心感謝廣大客戶和各利益相關(guān)方長期以來的大力支持。陶瓷M級石英晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振
村田晶振,貼片晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振,超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,手機(jī)晶體,產(chǎn)品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除無源晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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TXC晶振 |
單位 |
CSTCE晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
9MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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包裝規(guī)格 |
mm |
180 |
最小訂購單位:3000 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+80°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
300μW Max. |
推薦:1~300μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±0.5%×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±0.2%×10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
33pF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
40Ω |
-20°C~ +70°C, DL = 50μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±0.1%×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
每個封裝類型的注意事項(xiàng):(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。村田晶振,貼片晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振
（2）陶瓷包裝石英晶振:在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英無源晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。陶瓷封裝貼片晶振:在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
（3）柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)進(jìn)口石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。陶瓷M級石英晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致9M三腳壓電陶瓷晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。村田晶振,貼片晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過陶瓷貼片晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在三腳貼片晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過貼片陶瓷晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
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貼片晶振
SMDcrystal
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