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Statek晶振,貼片晶振,CX1HGSMAT晶振,石英晶振

頻率：10~155.52MHZ

尺寸：8.00*3.56mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌鲱I(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購熱線：0755-27837162

進(jìn)口SMD表面封裝晶振,大體積8.00*3.56mm諧振器,CX1HGSMAT晶振

1970年，Statek公司開創(chuàng)了石英晶體計(jì)時(shí)元件小型化技術(shù)，革新了頻率控制行業(yè)。今天，Statek在設(shè)計(jì)和制造超微型石英晶體、振蕩器和傳感器方面延續(xù)了創(chuàng)新的傳統(tǒng)。自成立以來，Statek一直是創(chuàng)新、服務(wù)和質(zhì)量的代名詞。所有產(chǎn)品都是在美國設(shè)計(jì)、制造和測試的。定制設(shè)計(jì)的有限元分析軟件，在構(gòu)建實(shí)物原型之前，能夠準(zhǔn)確地進(jìn)行設(shè)備行為建模，節(jié)省您的時(shí)間。通過我們廣泛的設(shè)計(jì)和過程庫，從我們過去的成功中獲益。進(jìn)口SMD表面封裝晶振,大體積8.00*3.56mm諧振器,CX1HGSMAT晶振
Statek在陶瓷封裝中使用玻璃或陶瓷外殼組裝晶體諧振器。Statek產(chǎn)品比機(jī)械制造的水晶產(chǎn)品要小得多。Statek晶體、振蕩器和傳感器的典型特征是:高穩(wěn)定性和精密頻率,低長期老化,低功耗,非常小的足跡,優(yōu)秀的耐沖擊性,超低調(diào),在美國設(shè)計(jì)和制造,設(shè)計(jì)能力.Statek擁有設(shè)計(jì)和分析各種操作模式中所有機(jī)械幾何形狀的石英諧振器的專門知識。

進(jìn)口SMD表面封裝晶振,大體積8.00*3.56mm諧振器,CX1HGSMAT晶振

Statek晶振,貼片晶振,CX1HGSMAT晶振,石英晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于SMD晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動(dòng)，面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。進(jìn)口SMD表面封裝晶振,大體積8.00*3.56mm諧振器,CX1HGSMAT晶振

進(jìn)口SMD表面封裝晶振,大體積8.00*3.56mm諧振器,CX1HGSMAT晶振

STATEK晶振	單位	CX1HGSMAT晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	10~155.52MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C~ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ~+125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200~500μW Max.	推薦:200~500μW
頻率公差	f_— l	±10,20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	4.0,5.5,6.2pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-55°C — +200°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±10× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

進(jìn)口SMD表面封裝晶振,大體積8.00*3.56mm諧振器,CX1HGSMAT晶振

所有產(chǎn)品的共同:1：抗沖擊:抗沖擊是指無源晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 Statek晶振,貼片晶振,CX1HGSMAT晶振,石英晶振
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 4：粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）
5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞陶瓷晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。進(jìn)口SMD表面封裝晶振,大體積8.00*3.56mm諧振器,CX1HGSMAT晶振

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驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明陶瓷殼封裝晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.Statek晶振,貼片晶振,CX1HGSMAT晶振,石英晶振

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過貼片石英晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到工業(yè)級貼片晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在陶瓷面兆級石英晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

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