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愛(ài)普生晶振,石英晶振,FA-128S晶振,FA-128S 19.2000MF12Y-AG3

頻率：16.000MHz~54.000MHz

尺寸：2.0*1.6*0.9mm

小型貼片石英晶振,"FA-128S 19.2000MF12Y-AG3"外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線(xiàn)藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-27837162

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EPSONdhl

精工愛(ài)普生株式會(huì)社（總經(jīng)理:碓井稔,以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“愛(ài)普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國(guó)區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛(ài)普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器,生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國(guó)蘇州愛(ài)普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.愛(ài)普生集團(tuán)通過(guò)富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價(jià)值,致力于為客戶(hù)提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)是一家專(zhuān)業(yè)從事晶體元件的廠商.2016超小型晶體諧振器,無(wú)源SMD晶體,FA-128S晶振,"FA-128S 19.2000MF12Y-AG3"

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愛(ài)普生晶振,石英晶振,FA-128S晶振,"FA-128S 19.2000MF12Y-AG3",隨著各種各樣的智能科技產(chǎn)品設(shè)計(jì)越來(lái)越小型化,薄型化,對(duì)晶體元器件的體積,精度和穩(wěn)定性要求越來(lái)越嚴(yán)格,國(guó)內(nèi)外各大晶振品牌應(yīng)市場(chǎng)變化趨勢(shì),不斷的將晶振產(chǎn)品做得更小更薄,日本的EPSON品牌近年來(lái)推出了許多款2.0*1.6mm的越小型貼片晶振,都廣泛的被生產(chǎn)廠家們使用,FA-128S晶振最低的頻率是16M,是市面上最常用的晶振頻率之一,因此備受生產(chǎn)企業(yè)們的喜愛(ài).

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愛(ài)普生晶振	單位	FA-128S晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	16.000MHZ~54.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±12 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	6pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±1× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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FA-128S 2016

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機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí)，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體諧振器產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于無(wú)源晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí)，機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。愛(ài)普生晶振,石英晶振,FA-128S晶振
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí)，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存進(jìn)口晶振產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。2016超小型晶體諧振器,無(wú)源SMD晶體,FA-128S晶振,"FA-128S 19.2000MF12Y-AG3"

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明EPSON晶體諧振器單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。2016超小型晶體諧振器,無(wú)源SMD晶體,FA-128S晶振,"FA-128S 19.2000MF12Y-AG3"

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加小體積SMD晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致愛(ài)普生四腳貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。愛(ài)普生晶振,石英晶振,FA-128S晶振,"FA-128S 19.2000MF12Y-AG3"

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