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精工晶振,貼片晶振,SSP-T7-F晶體

頻率：32.768KHz

尺寸：7.0*1.5mm

32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的縮寫，也成為SII。SII擁有世界上頂端的機(jī)械技術(shù)。除了是世界上著名的石英手表廠商，同時(shí)也生產(chǎn)電腦打印機(jī)。做電子元器件，精工晶振的代理商都知道精工常用的頻率都是32.768K的，因此精工晶振通常也被稱為精工表晶。

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精工晶振,貼片晶振,SSP-T7-F晶體,在32.768K晶振領(lǐng)域中,SEIKO晶振公司的這款晶振在業(yè)界中不可不說是知名度最高的其中之一,目前的共享單車中例如摩拜單車，用的就是這一顆SSP-T7-F晶體,可讓計(jì)時(shí)系統(tǒng)更加的精確.

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精工晶振	符號(hào)	SSP-T7-F晶振	精工晶振基本信息對(duì)照表
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768kHz
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C — +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C — +85°C	精工晶振特定的溫度
激勵(lì)功率	DL	0.5μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛鑫電子
精度	f_— l	±20ppm、±50ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	CL	7pF, 12.5pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R1	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±3 ×10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)SSP-T7-F貼片晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí)，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。精工晶振,貼片晶振,SSP-T7-F晶體
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)32.768KHZ-時(shí)鐘晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí)，機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí)，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些智能手機(jī)晶體，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 MC-146同款貼片晶振,7015音叉型時(shí)鐘晶體,SSP-T7-F晶振
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2 Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

精工晶振,貼片晶振,SSP-T7-F晶體

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。MC-146同款貼片晶振,7015音叉型時(shí)鐘晶體,SSP-T7-F晶振
其中CS表示電路的雜散電容。