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CTS晶振,貼片晶振,TF20晶振,KHZ晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2mm

超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,手機晶體,產(chǎn)品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

2007、CTS晶振完成陶瓷收購，提供傳感器在軍事和航空航天市場的傳感器制造商的壓電陶瓷材料。因此，CTS增強其全球領(lǐng)先的位置在壓電陶瓷具有獨特的能力范圍2008 tusonix，公司收購，在Nogales、墨西哥的制造業(yè)務(wù)，增加了電磁和射頻干擾（EMI/RFI）濾波器元件的CTS系列產(chǎn)品。作為戰(zhàn)略的一部分，CTS銷售EMS業(yè)務(wù)。該交易加劇了CTS對其零部件和傳感器業(yè)務(wù)的關(guān)注，并提供額外資金以推動核心能力的增長。音叉型晶體諧振器,2012無源音叉晶振,TF20晶振
2012也是CTS收購了研發(fā)技術(shù)的一年，該公司是一家私人定制的傳感器、開關(guān)和機電組件制造商，服務(wù)于汽車輕車市場。此次收購顯著擴大CTS的戰(zhàn)略汽車傳感器產(chǎn)品平臺與新客戶和更廣泛的產(chǎn)品組合。2012、CTS完成•華裴Fisher公司的收購，在精度和頻率的石英晶體諧振器的設(shè)計制造的領(lǐng)導(dǎo)者。此次收購擴大了CTS的技術(shù)和工程能力。

CTS晶振,貼片晶振,TF20晶振,KHZ晶振,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計：石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單，第4項的設(shè)計很關(guān)鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導(dǎo)致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對電極的設(shè)計提出了更精準(zhǔn)的要求。音叉型晶體諧振器,2012無源音叉晶振,TF20晶振

CTS晶振	單位	TF16晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	0.1~0.5μW Max.	推薦:0.1~0.5μW
頻率公差	f_— l	±10,20× 10-6	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±15~ ±100× 10-6/-30°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	5,7,9,12.5PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

音叉型晶體諧振器,2012無源音叉晶振,TF20晶振

耐焊性：將進口晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。CTS晶振,貼片晶振,TF20晶振,KHZ晶振
所有陶瓷石英晶振和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。音叉型晶體諧振器,2012無源音叉晶振,TF20晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英SMD晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在2012石英晶體諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。CTS晶振,貼片晶振,TF20晶振,KHZ晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于進口32.768K石英晶體諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致2012小體積貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過時鐘晶體諧振器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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