愛(ài)普生品牌系列千赫子的貼片晶振,目前占據(jù)了中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)口晶振25％的份額,品牌質(zhì)量,貨期,品種,品質(zhì)是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機(jī)模塊啟用開(kāi)始,在到國(guó)內(nèi)外各大知名品牌手機(jī),最后應(yīng)用到國(guó)內(nèi)山寨手機(jī)市場(chǎng),幾乎占據(jù)80％的手機(jī)行業(yè)晶振類別,產(chǎn)品本身特點(diǎn)是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應(yīng)用自動(dòng)貼片方便.愛(ài)普生晶振小體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn).

精工愛(ài)普生株式會(huì)社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡(jiǎn)稱為“愛(ài)普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國(guó)區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛(ài)普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國(guó)蘇州愛(ài)普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因?yàn)橹悄苁謾C(jī),以及GPS衛(wèi)星導(dǎo)航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號(hào),愛(ài)普生料號(hào)等.

EPSON晶體,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

愛(ài)普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-211SCE	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 90 °C	+/-25 ppm	≤ 3.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SCE	10.000250 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-15 ppm	≤ 3.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SCE	10.000400 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-15 ppm	≤ 3.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SCE	19.660000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-15 ppm	≤ 4.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SDE	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 2.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SDE	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 3.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SDE	37.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-20 ppm	≤ 3.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SDE	54.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-15 ppm	≤ 5.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0036210198	SG-211SCE	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 90 °C	+/-25 ppm	≤ 3.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036210200	SG-211SCE	10.000250 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-15 ppm	≤ 3.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036210201	SG-211SCE	10.000400 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-15 ppm	≤ 3.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036210202	SG-211SCE	19.660000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-15 ppm	≤ 4.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036310003	SG-211SDE	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 2.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036310004	SG-211SDE	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 3.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036310005	SG-211SDE	37.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-20 ppm	≤ 3.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036310006	SG-211SDE	54.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-15 ppm	≤ 5.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?/span>OSC晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。EPSON晶體,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種金屬面晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致2520晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.EPSON晶體,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振

晶體諧振腔的形式模式，但日本進(jìn)口有源晶振泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)2520小體積晶振振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)CMOS驅(qū)動(dòng)2520晶振電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。