日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件（蘇州）有限公司】 愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會(huì)社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司（外商合資）.目前注冊(cè)資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事壓電石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

愛普生品牌系列千赫子的貼片晶振,目前占據(jù)了中國市場(chǎng)進(jìn)口晶振25％的份額,品牌質(zhì)量,貨期,品種,品質(zhì)是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機(jī)模塊啟用開始,在到國內(nèi)外各大知名品牌手機(jī),最后應(yīng)用到國內(nèi)山寨手機(jī)市場(chǎng),幾乎占據(jù)80％的手機(jī)行業(yè)晶振類別,產(chǎn)品本身特點(diǎn)是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應(yīng)用自動(dòng)貼片方便.愛普生晶振小體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn).

EPSON晶體,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振,石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì)：石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡單，第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求。

2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的2520晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對(duì)應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-211SDE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 2.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SDE	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-15 ppm	≤ 3.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SDE	36.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-20 ppm	≤ 3.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SDE	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 2.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SEE	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-15 ppm	≤ 2.8 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SEE	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 2.8 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SEE	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-20 ppm	≤ 2.3 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SEE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-20 ppm	≤ 2.3 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0036310020	SG-211SDE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 2.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036310021	SG-211SDE	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-15 ppm	≤ 3.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036310022	SG-211SDE	36.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-20 ppm	≤ 3.0 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036310023	SG-211SDE	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 2.5 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036410002	SG-211SEE	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-15 ppm	≤ 2.8 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036410003	SG-211SEE	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 2.8 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036410004	SG-211SEE	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-20 ppm	≤ 2.3 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036410005	SG-211SEE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-20 ppm	≤ 2.3 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種進(jìn)口石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。EPSON晶體,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>貼片有源晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。

驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流.EPSON晶體,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在2520時(shí)鐘有源振蕩器基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過金屬面有源晶振測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過GPS導(dǎo)航系統(tǒng)晶振電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。