1. 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振自設(shè)計階段至成品完成后之服務(wù)即應(yīng)考察該產(chǎn)品對環(huán)境產(chǎn)生之沖擊,避免使用會造成污染之原物料及制程；對污染之防治應(yīng)從根源解決問題,以《不產(chǎn)生、不使用》為最高指導(dǎo)原則.
2.若無法避免需產(chǎn)生或使用時,應(yīng)管制單位產(chǎn)生量及使用量,做持續(xù)性之追蹤管制、改進并制定預(yù)防方案或是降低污染量,水電等消耗性（能）資源使用,應(yīng)從系統(tǒng)研究改善使用效率,以達(dá)成節(jié)約能源之目標(biāo).
3.公司所有活動皆遵循環(huán)保法規(guī)及承諾,作好SMD晶振綠色設(shè)計與生產(chǎn)以及污染預(yù)防,減少使用危害環(huán)境的原物料,積極節(jié)約材料資源,降低對整體環(huán)境沖擊的影響,實施相關(guān)預(yù)防矯正、持續(xù)改善作業(yè),落實與維護環(huán)境保護,響應(yīng)全球環(huán)保運動.
4.藉由環(huán)境稽核確認(rèn)環(huán)境改善績效,使公司所有活動過程均能達(dá)成環(huán)境目標(biāo)及標(biāo)的,并期望透過全體員工共同努力,貢獻愛護地球的一份心力.
泰藝石英晶振離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)：比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±3ppm之內(nèi).
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泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
XN晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-40°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
9pF、12.5PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體諧振器性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致進口貼片晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示小體積貼片晶振單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
2.振蕩補償
除非在8038貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
3. 負(fù)載電容
如果32.768K手機晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
KDS晶振,貼片晶振,DMX-26S晶振
Statek晶振,石英晶振,CX1HT晶振
ECLIPTEK晶振,音叉晶振,E1WSDA12-32.768K晶振
精工晶振,貼片晶振,SSP-T7-F晶振
SHINSUNG晶振,TF-17S晶振,TF-17S-20-32.768KHz-12.5pF晶振
EPSON進口晶振MC-146,Q13MC1461000600音叉晶體
CM200C32768AZFT-32.768KHz-12.5pf-8038mm
ELS13-32.768kHz-T,AEL石英晶體,儀表設(shè)備晶振,7015mm諧振器