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CU500超小型晶體,日本納卡晶振,水晶振動(dòng)子

頻率：8~53.125MHz,80MHz

尺寸：5.0*3.2mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

    CU500超小型晶體,日本納卡晶振,水晶振動(dòng)子，納卡NAKA Crystal發(fā)展歷程：
1979年1月10日   公司成立，都澀谷區(qū)道玄坂東京二丁目19版號(hào)設(shè)立了306獅子公寓號(hào)注冊(cè)，實(shí)收資本100萬(wàn)日元的贊助資金4000000日元
1979年8月資本金增加至1800萬(wàn)日元，實(shí)收資本400萬(wàn)日元
1981年11月   搬遷到東京都澀谷區(qū)13-10東3丁目北澤工業(yè)大樓3樓
1994年4月搬遷至神奈川縣橫濱市中川都筑區(qū)1-17-22
1995年8月實(shí)收資本1000萬(wàn)日元
2007年11月1日搬遷到神奈川縣橫濱市港北區(qū)的Shinyoshida-cho 6061
2008年2月13日 “神奈川標(biāo)準(zhǔn)”認(rèn)證
2009年3月31日   在神奈川縣橫濱市港北區(qū)新Shin町570號(hào)的總公司工廠的建設(shè)
2014年6月30日   在  東京都千代田區(qū)黑部4-11 - 11成立新公司·Naka＆Co.，Ltd。（資本5000萬(wàn)日元）
7月22日繼承前·納卡公司的所有業(yè)務(wù)和資產(chǎn).

CU500超小型晶體,日本納卡晶振,水晶振動(dòng)子，智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
CU500超小型晶體,日本納卡晶振,水晶振動(dòng)子，貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

項(xiàng)目 Item	規(guī)格 Specification	備考 Note
出力周波數(shù) Frequency range	8～53.125MHz、80MHz
発振モード Mode	基本波（53.125MHz未満）、 3rd-overtone （80MHz）
保存溫度範(fàn)囲 Strage Temp. range	-55～+125℃
動(dòng)作溫度範(fàn)囲 Operating Temp. range	-10～+60℃、-20～+70℃、-40～+85℃、 -40～+105℃、-40～+125℃
勵(lì)振レベル Drive Leve	300µW Max.
周波數(shù)溫度特性 Freq. Tolerance vs. Temp. range	Table.1
直列抵抗 Equivalent Series Resistance	100Ω Max.(8～11MHz) 65Ω Max.(11～12MHz) 60Ω Max.(12～13MHz) 55Ω Max.(13～16MHz) 50Ω Max.(16～24MHz) 45Ω Max.(24～48MHz) 40Ω Max.(48～53.125MHz) 60Ω Max.(80MHz)
エージング Frequency Aging	+/-3ppm/年 Max.

抗沖擊
  貼片石英晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英無(wú)源晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。CU500超小型晶體,日本納卡晶振,水晶振動(dòng)子.
靜電,
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。