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SXO75L3A481-100.000MT,Suntsu差分晶振,7050穿戴設(shè)備晶振
更多 +SXO75L3A481-100.000MT,Suntsu差分晶振,7050穿戴設(shè)備晶振,憑借100.000MT精準(zhǔn)頻率,為設(shè)備定位,心率監(jiān)測(cè)等核心功能提供穩(wěn)定頻率支撐.差分結(jié)構(gòu)大幅降低智能穿戴設(shè)備晶振內(nèi)部電磁干擾影響,搭配低功耗芯片設(shè)計(jì),完美契合穿戴設(shè)備"長(zhǎng)續(xù)航,小體積"核心訴求.產(chǎn)品經(jīng)過(guò)嚴(yán)格可靠性測(cè)試,適應(yīng)穿戴設(shè)備日常運(yùn)動(dòng),高低溫等復(fù)雜使用場(chǎng)景,是高端穿戴設(shè)備的優(yōu)選頻率組件.
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X1E0000210624,物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用晶振,TSX-3225型號(hào)晶振
X1E0000210624,物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用晶振,TSX-3225型號(hào)晶振,聚焦物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景的核心需求,提供精準(zhǔn)穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)支持.產(chǎn)品具備寬工作電壓范圍與寬溫度適應(yīng)能力,可在復(fù)雜的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用環(huán)境(如工業(yè)物聯(lián)網(wǎng),戶外監(jiān)測(cè)設(shè)備)中穩(wěn)定發(fā)揮性能.同時(shí),其低等效串聯(lián)電阻設(shè)計(jì)有效降低功耗,搭配高可靠性的電路結(jié)構(gòu),為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)保障,適配多種物聯(lián)網(wǎng)通信協(xié)議的頻率要求.更多 +
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SG-8002DB-8.0000M-PHM,SG-8002DB可編程晶振,時(shí)鐘振蕩器
SG-8002DB-8.0000M-PHM,SG-8002DB可編程晶振,時(shí)鐘振蕩器,8.0000MHz基準(zhǔn)主頻可通過(guò)編程拓展至全頻段范圍,完美匹配單片機(jī),FPGA,通信模塊,工業(yè)控制器等多種核心芯片的時(shí)鐘需求.從消費(fèi)電子,物聯(lián)網(wǎng)終端到工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備,汽車電子,產(chǎn)品憑借可編程的高靈活性,簡(jiǎn)化多型號(hào)產(chǎn)品的時(shí)鐘元件選型流程,實(shí)現(xiàn)"一款晶振適配多款設(shè)備",大幅提升研發(fā)與生產(chǎn)效率.更多 +
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SG-310SCF25.00MHz,EPSON有源晶體振蕩器,3.3V壓電晶振
SG-310SCF25.00MHz,EPSON有源晶體振蕩器,3.3V壓電晶振,有源設(shè)計(jì)集成振蕩電路,無(wú)需外部匹配元件,大幅簡(jiǎn)化PCB設(shè)計(jì);25.00MHz頻率±20ppm高頻率穩(wěn)定性,解決時(shí)序偏差導(dǎo)致的設(shè)備卡頓,數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤問(wèn)題;3.3V低壓供電適配主流芯片電壓需求,降低系統(tǒng)功耗,同時(shí)密封封裝增強(qiáng)抗潮濕,抗振動(dòng)能力,廣泛適用于戶外設(shè)備,通信終端,醫(yī)療儀器等場(chǎng)景.更多 +
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510KBA100M000BAG,Skyworks思佳訊晶振,低功耗設(shè)備應(yīng)用晶振
510KBA100M000BAG,Skyworks思佳訊晶振,低功耗設(shè)備應(yīng)用晶振,100MHz主頻精準(zhǔn)匹配無(wú)線通信,數(shù)據(jù)傳輸模塊的時(shí)序需求,1.8V寬壓設(shè)計(jì)完美適配鋰電池供電設(shè)備.從智能穿戴,藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)到低功耗傳感器,便攜醫(yī)療設(shè)備,產(chǎn)品憑借思佳訊原廠低功耗技術(shù),在滿足高頻性能的同時(shí)最大限度降低能耗,確保設(shè)備長(zhǎng)效穩(wěn)定運(yùn)行.更多 +
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ECS-2033-200-AU,ECS車規(guī)晶振,3.3V壓電晶振
ECS-2033-200-AU,ECS車規(guī)晶振,3.3V壓電晶振,完美適配各類車載電子設(shè)備需求.無(wú)論是新能源汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS),車身控制系統(tǒng)(BCM),還是車載通信模塊,智能駕駛感知設(shè)備,該晶振都能通過(guò)AEC-Q200車規(guī)認(rèn)證的嚴(yán)苛要求,適應(yīng)車載環(huán)境中的高溫,振動(dòng),電壓波動(dòng)等復(fù)雜工況.更多 +
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SG-8002JA005.000000MHzPHM,XO有源晶體振蕩器,EPSON品牌晶振
別于傳統(tǒng)無(wú)源諧振器,無(wú)需外部匹配電路即可直接輸出穩(wěn)定5MHz頻率信號(hào),大幅簡(jiǎn)化終端設(shè)備的電路設(shè)計(jì)流程.其搭載的三態(tài)OE控制功能,可按需實(shí)現(xiàn)信號(hào)開啟與關(guān)閉,助力設(shè)備實(shí)現(xiàn)低功耗休眠模式;CMOS輸出晶振標(biāo)準(zhǔn)輸出接口能無(wú)縫兼容主流MCU,DSP等主控芯片,適配自動(dòng)化貼片工藝的封裝設(shè)計(jì)還可提升產(chǎn)線組裝效率,兼具易用性,功能性與經(jīng)濟(jì)性.更多 +
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O10.0-JT53L-A-K-3.3,Jauch溫補(bǔ)晶振,3.3V有源晶振
O10.0-JT53L-A-K-3.3,Jauch溫補(bǔ)晶振,3.3V有源晶振與主流電子設(shè)備的電源系統(tǒng)高度兼容,無(wú)需額外電壓轉(zhuǎn)換模塊,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)流程的同時(shí)降低整體功耗,尤其適合物聯(lián)網(wǎng)終端,便攜式檢測(cè)設(shè)備等對(duì)功耗敏感的產(chǎn)品.此外,晶振采用標(biāo)準(zhǔn)化引腳布局與封裝規(guī)格,可直接替換同類型號(hào),兼容性覆蓋通信模塊,智能家居控制器,醫(yī)療監(jiān)護(hù)設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域,為工程師提供靈活的選型方案.更多 +
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O20,0-JO32-B-3,3-2-T1-LF,JAUCH歐美晶振,20MHz晶振
O20,0-JO32-B-3,3-2-T1-LF,JAUCH歐美晶振,20MHz晶振,O20,0-JO32-B-3,3-2-T1-LF的寬電壓適應(yīng)范圍（3.0V~3.6V）,可兼容通信設(shè)備不同模塊的供電波動(dòng),確保在電壓輕微變化時(shí)仍能穩(wěn)定輸出,JAUGH歐美晶振的輸出波形純凈,諧波失真小于-65dBc,避免對(duì)通信信號(hào)產(chǎn)生干擾,保障5G信號(hào)的高速傳輸與低延遲.更多 +
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7X54070001,TXC有源晶體振蕩器,3.3V壓電晶振
7X54070001,TXC有源晶體振蕩器,3.3V壓電晶振的工作電壓與消費(fèi)電子主流供電電壓匹配,無(wú)需額外電壓轉(zhuǎn)換模塊,降低電路復(fù)雜度,同時(shí)具備優(yōu)異的頻率穩(wěn)定度,保障藍(lán)牙,WiFi信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性,減少數(shù)據(jù)丟包現(xiàn)象.更多 +
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RTX-104DD3C-S-16.384-TR,Raltron拉隆晶振,RTX-104晶振,3225有源晶體振蕩器
RTX-104DD3C-S-16.384-TR,Raltron拉隆晶振,RTX-104晶振,3225有源晶體振蕩器,RTX-104DD3C-S-16.384-TR是Raltron拉隆RTX-104系列下的3225小型晶振封裝,核心輸出頻率精準(zhǔn)鎖定16.384MHz,憑借Raltron成熟的晶體切割與封裝工藝,在-40℃~85℃寬溫范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)±25ppm的頻率穩(wěn)定度,能有效抵御溫度波動(dòng),振動(dòng)等環(huán)境干擾,為醫(yī)療監(jiān)護(hù)儀,工業(yè)控制模塊等對(duì)時(shí)序精度要求嚴(yán)苛的設(shè)備,提供持續(xù)穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)支撐,是保障設(shè)備數(shù)據(jù)采集與指令執(zhí)行準(zhǔn)確性的關(guān)鍵元器件.更多 +
![TCSW53溫補(bǔ)晶體振蕩器,艾西迪晶振,TC532400MBXNBXXZL-PF[24MHz]晶振](http://m.908tw.com/uploadfiles/pictures/product/20221129145315_7921.jpg "TCSW53溫補(bǔ)晶體振蕩器,艾西迪晶振,TC532400MBXNBXXZL-PF[24MHz]晶振")
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TCSW53溫補(bǔ)晶體振蕩器,艾西迪晶振,TC532400MBXNBXXZL-PF[24MHz]晶振
5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.更多 +
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溫補(bǔ)晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振
貼片式溫補(bǔ)振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.更多 +
- [技術(shù)支持]CTS西迪斯晶振為預(yù)防性維護(hù)電流檢測(cè)技術(shù)注入精準(zhǔn)芯動(dòng)力2025年11月05日 11:46
CTS西迪斯晶振為預(yù)防性維護(hù)電流檢測(cè)技術(shù)注入精準(zhǔn)芯動(dòng)力
隨著工業(yè)智能化的快速發(fā)展,預(yù)防性維護(hù)的重要性日益凸顯,電流檢測(cè)技術(shù)作為其核心支撐,對(duì)晶振性能提出了更高要求.CTS西迪斯晶振在電流檢測(cè)技術(shù)中的應(yīng)用價(jià)值,積極采用這一先進(jìn)技術(shù),提升設(shè)備的健康管理水平,為企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展注入新的動(dòng)力.相信在CTS西迪斯晶振的助力下,各行業(yè)將在預(yù)防性維護(hù)領(lǐng)域取得更大的突破,實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)效率和設(shè)備可靠性的雙提升.
- 閱讀（196） 標(biāo)簽：美國(guó)進(jìn)口CTS晶振|有源晶體振蕩器
- [行業(yè)資訊]5032mm溫補(bǔ)晶振X1G005231002300用于無(wú)線模塊應(yīng)用2022年09月19日 16:35
- 晶振在電子信息產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用非常普遍，晶振被應(yīng)用于包括網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、消費(fèi)電子、移動(dòng)通訊、可穿戴、汽車電子等等領(lǐng)域
愛普生晶振TG5032CGN，是一款超高穩(wěn)定性溫補(bǔ)晶體振蕩器，支持CMOS輸出電平，小體積尺寸5.0x3.2mm有源晶振，10腳貼片晶振，電源電壓:2.375V至3.63V，頻率范圍:10MHz至40MHz，具有小尺寸，輕薄型，低抖動(dòng)，低功耗，低相位噪聲，低損耗，低耗能，高穩(wěn)定性等特點(diǎn)。該款有源晶體振蕩器，可以在G：-40℃至+85℃的溫度內(nèi)穩(wěn)定工作，無(wú)鉛，符合歐盟RoHS指令，被廣泛應(yīng)用于小型基站，Stratum3，SyncE，IEEE1588，網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，車載電子，無(wú)線模塊，小型便捷式設(shè)備等。
5032mm溫補(bǔ)晶振X1G005231002300用于無(wú)線模塊應(yīng)用
- 閱讀（661） 標(biāo)簽：溫補(bǔ)晶體振蕩器
- [新聞動(dòng)態(tài)]ConnorWinfield有源晶振編碼大全2018年11月19日 10:40
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CWX823-012.0M有源晶振OX9140S3-012.8M晶振CWX823-024.0M康納溫菲爾德晶振DOC100F-019.44M石英晶體振蕩器CWX823-050.0M晶振DOC100V-012.8M美國(guó)晶振CWX823-032.768M石英晶體振蕩器DOC100F-010.0M貼片振蕩器CWX823-018.432M美國(guó)晶振OX9143S3-010.0M歐美晶振CWX823-049.152M貼片振蕩器DOC102V-010.0M有源晶體振蕩器CWX823-016.0M歐美晶振DOC102V-012.8M恒溫晶振CWX823-012.288M有源晶體振蕩器DOC020V-012.8M歐美晶振CWX823-020.0M恒溫晶振DOC050F-019.44M貼片石英晶振CWX823-027.0M歐美晶振DOC102F-024.576M石英晶振CWX823-033.333M貼片石英晶振DOC052F-019.44M差分晶振CWX813-024.0M石英晶振DOC102F-049.152M有源貼片晶振CWX813-012.0M差分晶振DOCSC022F-024.576M有源晶體CWX813-018.432M有源貼片晶振OH300-61003CV-012.8M貼片晶振CWX813-001.8432M有源晶體OH300-61003CF-012.8M壓控振蕩器CWX813-007.3728M貼片晶振OH300-50503CF-020.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振CWX813-010.0M壓控振蕩器OH300-70503CF-024.576M低功耗晶振CWX813-025.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振OH300-50503CF-012.8M高精度晶振CWX813-027.0M低功耗晶振OH300-60503CF-024.576M進(jìn)口晶振CWX813-033.0M高精度晶振OH300-61003CF-020.0M低相噪晶振CWX813-040.0M進(jìn)口晶振OH300-50503CF-010.0M有源晶振CWX813-060.0M低相噪晶振OH300-61003CF-040.0M康納溫菲爾德晶振CWX813-004.0M有源晶振CWX823-016.384M晶振CWX813-016.0M康納溫菲爾德晶振CWX823-030.0M石英晶體振蕩器CWX823-100.0M晶振CWX823-044.736M美國(guó)晶振CWX813-080.0M石英晶體振蕩器HSM93-008.0M貼片振蕩器CWX813-064.0M美國(guó)晶振HSM93-010.0M歐美晶振CWX823-001.544M貼片振蕩器HSM93-040.0M有源晶體振蕩器CWX823-040.0M歐美晶振DV75D-012.8M恒溫晶振CWX823-033.0M有源晶體振蕩器D75F-025.0M歐美晶振CWX823-004.0M恒溫晶振PM113-311.04M貼片石英晶振CWX823-025.0M歐美晶振LM113-311.04M石英晶振CWX823-001.8432M貼片石英晶振LM113-425.0M差分晶振CWX813-100.0M石英晶振PM113-625.0M有源貼片晶振CWX823-064.0M差分晶振P212-155.52M有源晶體CWX813-044.736M有源貼片晶振T602-040.0M貼片晶振CWX813-012.288M有源晶體TB602-050.0M壓控振蕩器CWX813-019.44M貼片晶振OH300-61003CV-020.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振CWX813-024.576M壓控振蕩器OH300-61003CV-040.0M低功耗晶振CWX813-030.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振OHSM100-60803CF-020.0M高精度晶振CWX813-020.0M低功耗晶振DOCSC022F-040.0M進(jìn)口晶振CWX813-020.48M高精度晶振DOCSC022F-020.0M低相噪晶振CWX813-049.152M進(jìn)口晶振CWX823-003.6864M有源晶振CWX813-050.0M低相噪晶振CWX823-014.31818M康納溫菲爾德晶振CWX813-029.4912M有源晶振CWX823-015.36M晶振CWX813-066.6666M康納溫菲爾德晶振CWX823-019.44M石英晶體振蕩器HSM613-060.0M晶振CWX823-020.48M美國(guó)晶振HSM613-020.0M石英晶體振蕩器CWX823-045.0M貼片振蕩器HSM613-049.152M美國(guó)晶振CWX825-1.544M歐美晶振HSM613-050.0M貼片振蕩器CWX825-1.8432M有源晶體振蕩器HSM613-024.576M歐美晶振CWX825-3.6864M恒溫晶振HSM613-078.125M有源晶體振蕩器CWX825-4.0M歐美晶振HSM613-098.304M恒溫晶振CWX825-7.3728M貼片石英晶振HSM613-114.285M歐美晶振CWX825-8.0M石英晶振HSM613-125.0M貼片石英晶振CWX825-10.0M差分晶振CWX823-125.0M石英晶振CWX825-12.0M有源貼片晶振CWX823-156.25M差分晶振CWX825-12.288M有源晶體D32G-016.368M有源貼片晶振CWX825-14.31818M貼片晶振D32G-026.0M有源晶體CWX825-15.36M壓控振蕩器D32G-019.2M貼片晶振CWX825-16.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振HSM93-032.0M壓控振蕩器CWX825-16.384M低功耗晶振HSM93-016.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振CWX825-18.432M高精度晶振HSM93-020.0M低功耗晶振CWX825-19.44M進(jìn)口晶振HSM93-025.0M高精度晶振CWX825-20.0M低相噪晶振PB223-156.25M進(jìn)口晶振CWX825-20.48M有源晶振D75J-050.0M低相噪晶振CWX825-24.0M康納溫菲爾德晶振D75J-038.88M有源晶振CWX825-24.576M晶振D75J-040.0M康納溫菲爾德晶振CWX825-25.0M石英晶體振蕩器DV75D-010.0M晶振CWX825-27.0M美國(guó)晶振DV75D-020.0M石英晶體振蕩器CWX825-29.4912M貼片振蕩器D75A-010.0M美國(guó)晶振CWX825-30.0M歐美晶振D75A-019.2M貼片振蕩器CWX825-32.0M有源晶體振蕩器DV75C-020.0M歐美晶振CWX825-33.0M恒溫晶振DV75C-010.0M有源晶體振蕩器CWX825-33.333M歐美晶振P123-125.0M恒溫晶振CWX825-40.0M貼片石英晶振P122-100.0M歐美晶振CWX825-44.736M石英晶振P122-125.0M貼片石英晶振CWX825-45.0M差分晶振D53G-020.0M石英晶振CWX825-49.152M有源貼片晶振D75A-012.8M差分晶振CWX825-50.0M有源晶體D75A-020.0M有源貼片晶振CWX825-60.0M貼片晶振P122-156.25M有源晶體CWX823-072.0M壓控振蕩器P123-156.25M貼片晶振CWX825-64.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振T602-025.0M壓控振蕩器CWX825-66.6666M低功耗晶振T602-020.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振CWX825-72.0M高精度晶振T602-010.0M低功耗晶振CWX825-80.0M進(jìn)口晶振T604-020.0M高精度晶振CWX813-003.6864M低相噪晶振T604-030.72M進(jìn)口晶振CWX813-008.0M有源晶振DV75C-040.0M低相噪晶振CWX813-032.0M康納溫菲爾德晶振P143-100.0M有源晶振CWX813-032.768M晶振D75AS-020.0M康納溫菲爾德晶振CWX813-033.333M石英晶體振蕩器DV75C-012.8M晶振CWX815-1.544M美國(guó)晶振P143-155.52M石英晶體振蕩器CWX815-1.8432M貼片振蕩器P142-156.25M美國(guó)晶振CWX815-3.6864M歐美晶振TB522-100.0M貼片振蕩器CWX815-4.0M有源晶體振蕩器P213-100.0M歐美晶振CWX815-7.3728M恒溫晶振P212-100.0M有源晶體振蕩器CWX815-8.0M歐美晶振P213-156.25M恒溫晶振CWX815-10.0M貼片石英晶振T604-012.8M歐美晶振CWX815-12.0M石英晶振T605-030.72M貼片石英晶振CWX815-12.288M差分晶振T604-010.0M石英晶振CWX815-14.31818M有源貼片晶振T602-030.72M差分晶振CWX815-15.36M有源晶體T602-019.44M有源貼片晶振CWX815-16.0M貼片晶振T602-038.88M有源晶體CWX815-16.384M壓控振蕩器T602-019.2M貼片晶振CWX815-18.432M美國(guó)ConnorWinfield晶振DV75C-025.0M壓控振蕩器CWX815-19.44M低功耗晶振M100V-020.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振CWX815-20.0M高精度晶振T100F-010.0M低功耗晶振CWX815-20.48M進(jìn)口晶振T100F-020.0M高精度晶振CWX815-24.0M低相噪晶振M100F-010.0M進(jìn)口晶振CWX815-24.576M有源晶振M100F-019.2M低相噪晶振CWX815-25.0M康納溫菲爾德晶振M100F-020.0M有源晶振CWX815-27.0M晶振M200F-010.0M康納溫菲爾德晶振CWX815-29.4912M石英晶體振蕩器M200F-040.0M晶振CWX815-30.0M美國(guó)晶振T200F-040.0M石英晶體振蕩器CWX815-32.0M貼片振蕩器TB602-038.88M美國(guó)晶振CWX815-32.768M歐美晶振TB512-052.0M貼片振蕩器CWX815-33.0M有源晶體振蕩器TB522-080.0M歐美晶振CWX815-33.333M恒溫晶振TB524-100.0M有源晶體振蕩器CWX815-40.0M歐美晶振TB512-050.0M恒溫晶振CWX815-44.736M貼片石英晶振TL602-024.576M歐美晶振CWX815-45.0M石英晶振ML602-020.0M貼片石英晶振CWX815-49.152M差分晶振DOT050F-012.8M石英晶振CWX815-50.0M有源貼片晶振DOT050F-019.2M差分晶振CWX815-60.0M有源晶體DOT050F-019.44M有源貼片晶振CWX825-100.0M貼片晶振DOT050F-020.0M有源晶體CWX815-64.0M壓控振蕩器DOT050V-019.44M貼片晶振CWX815-66.6666M美國(guó)ConnorWinfield晶振M602-040.0M壓控振蕩器CWX815-72.0M低功耗晶振M200F-024.576M美國(guó)ConnorWinfield晶振CWX815-80.0M高精度晶振M100V-010.0M低功耗晶振CWX815-100.0M進(jìn)口晶振TB602-049.152M高精度晶振HSM536-8.0000低相噪晶振T200F-020.0M進(jìn)口晶振HSM536-10.0000有源晶振M602-049.152M低相噪晶振HSM536-18.4320康納溫菲爾德晶振T604-040.0M有源晶振HSM536-20.0000晶振T100V-012.8M康納溫菲爾德晶振HSM536-25.0000石英晶體振蕩器T100V-020.0M晶振HSM536-32.0000美國(guó)晶振T200F-024.576M石英晶體振蕩器HSM536-40.0000貼片振蕩器M200F-020.0M美國(guó)晶振HSM536-50.0000歐美晶振T200F-010.0M貼片振蕩器HSM536-60.0000有源晶體振蕩器DOC100V-020.0M歐美晶振HSM536-64.0000恒溫晶振ML602-024.576M有源晶體振蕩器HSM536-66.6666歐美晶振TL602-020.0M恒溫晶振HSM92-029.4912M貼片石英晶振DOT050V-010.0M歐美晶振HSM92-044.2368M石英晶振DOT050V-019.2M貼片石英晶振D75J-038.88M-T差分晶振DOT050V-020.0M石英晶振D75J-050.0M-T有源貼片晶振DOT050F-010.0M差分晶振D75J-040.0M-T有源晶體DOC052V-010.0M有源貼片晶振D75F-013.0M-T貼片晶振OH300-71003SV-010.0M有源晶體D75F-019.44M-T壓控振蕩器OH300-50503CV-020.0M貼片晶振D75F-025.0M-T美國(guó)ConnorWinfield晶振OX9143S3-020.0M壓控振蕩器D75F-027.0M-T低功耗晶振DOC020F-020.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振D53G-020.0M-T高精度晶振CWX823-010.0M低功耗晶振D53G-026.0M-T進(jìn)口晶振CWX823-029.4912M高精度晶振D32G-016.368M-T低相噪晶振CWX813-001.544M進(jìn)口晶振D32G-019.2M-T有源晶振CWX813-016.384M低相噪晶振D32G-026.0M-T康納溫菲爾德晶振CWX813-072.0M有源晶振D75A-010.0M-T晶振CWX813-014.31818M康納溫菲爾德晶振D75A-012.8M-T石英晶體振蕩器CWX813-015.36M晶振D75A-019.2M-T美國(guó)晶振CWX813-045.0M石英晶體振蕩器D75A-020.0M-T貼片振蕩器D75F-013.0M美國(guó)晶振PM113-161.1328M-T歐美晶振D75F-019.44M貼片振蕩器PM113-200.0M-T有源晶體振蕩器TB514-052.0M歐美晶振PM113-212.5M-T恒溫晶振TB514-054.0M有源晶體振蕩器PM113-250.0M-T歐美晶振TB524-080.0M恒溫晶振PM113-311.04M-T貼片石英晶振TB512-054.0M歐美晶振PM113-312.5M-T石英晶振T604-019.44M貼片石英晶振PM113-318.75M-T差分晶振T100F-019.2M石英晶振PM113-466.56M-T有源貼片晶振T100V-019.2M差分晶振PM113-622.08M-T有源晶體M100F-012.8M有源貼片晶振PM113-625.0M-T貼片晶振M100V-012.8M有源晶體LM113-200.0M-T壓控振蕩器CSB21-012.688656M貼片晶振LM113-288.0M-T美國(guó)ConnorWinfield晶振CSB21-012.688575M壓控振蕩器LM113-311.04M-T低功耗晶振DOT050V-012.8M美國(guó)ConnorWinfield晶振LM113-312.5M-T高精度晶振DOC050F-012.8M低功耗晶振LM113-425.0M-T進(jìn)口晶振DOC052F-010.0M高精度晶振D75AS-020.0M-T低相噪晶振DOC102F-040.0M進(jìn)口晶振P123-155.52M有源晶振CWX823-060.0M低相噪晶振P122-155.52M康納溫菲爾德晶振CWX823-024.576M有源晶振PM113-212.5M晶振CWX823-008.0M康納溫菲爾德晶振PM113-312.5M石英晶體振蕩器CWX823-007.3728M晶振PM113-318.75M美國(guó)晶振CWX823-066.6666M石英晶體振蕩器T604-019.2M貼片振蕩器HSM93-004.9152M美國(guó)晶振T602-012.8M歐美晶振HSM93-050.0M貼片振蕩器P223-155.52M有源晶體振蕩器D75F-027.0M歐美晶振P222-155.52M恒溫晶振P123-100.0M有源晶體振蕩器P222-156.25M歐美晶振D53G-026.0M恒溫晶振P213-155.52M貼片石英晶振P222-125.0M歐美晶振JH53-50MHZ石英晶振P143-125.0M貼片石英晶振TB604-050.0M差分晶振LM113-288.0M石英晶振TB612-052.0M有源貼片晶振P142-125.0M差分晶振TB612-054.0M有源晶體LM113-200.0M有源貼片晶振TB622-080.0M貼片晶振P142-100.00M有源晶體TB622-100.0M壓控振蕩器P223-125.0M貼片晶振TB614-050.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振PM113-250.0M壓控振蕩器TB614-052.0M低功耗晶振P222-100.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振TB614-054.0M高精度晶振PM113-200.0M低功耗晶振TB624-080.0M進(jìn)口晶振P223-100.0M高精度晶振TB624-100.0M低相噪晶振LM113-312.5M進(jìn)口晶振TB612-050.0M有源晶振PM113-466.56M低相噪晶振V702-155.52M康納溫菲爾德晶振P143-156.25M有源晶振V702-156.25M晶振P142-155.52M康納溫菲爾德晶振OX9140S3-010.0M石英晶體振蕩器P223-156.25M晶振OX9140S3-019.44M美國(guó)晶振P213-125.0M石英晶體振蕩器OX9140S3-020.0M貼片振蕩器P212-125.0M美國(guó)晶振DOC100F-020.0M歐美晶振P212-156.25M貼片振蕩器DOC100F-012.8M有源晶體振蕩器T604-025.0M歐美晶振DOC100V-019.44M恒溫晶振T604-038.88M有源晶體振蕩器OX9143S3-012.8M歐美晶振V803-074.1758M恒溫晶振OX9143S3-019.44M貼片石英晶振V803-074.25M歐美晶振HSM943-12.288M石英晶振TB514-050.0M貼片石英晶振T622-040.M差分晶振V803-100.0M石英晶振TFLD546-012.8M有源貼片晶振V803-125.0M差分晶振TFLD546-020.0M有源晶體M602-025.0M有源貼片晶振TVB602-050.0M貼片晶振T100V-010.0M有源晶體DOC050F-020.0M壓控振蕩器M100V-019.2M貼片晶振DOC050V-020.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振DOC100V-010.0M壓控振蕩器DOC050V-012.8M低功耗晶振DOC102V-020.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振DOC050V-019.44M高精度晶振DOC020V-010.0M低功耗晶振DOC102F-020.0M進(jìn)口晶振DOC050V-010.0M高精度晶振DOC102F-012.8M低相噪晶振DOC020V-020.0M進(jìn)口晶振DOC102F-019.44M有源晶振X502-622.08M低相噪晶振DOC102V-019.44M康納溫菲爾德晶振DOC052V-012.8M有源晶振DOC020F-012.8M晶振OH300-61003CV-010.0M康納溫菲爾德晶振DOC020F-019.44M石英晶體振蕩器OH300-50503CV-012.8M晶振DOC020V-019.44M美國(guó)晶振OH300-50503CV-010.0M石英晶體振蕩器DOC052V-020.0M貼片振蕩器OH300-61005CV-030.72M美國(guó)晶振DOC052V-019.44M歐美晶振OH300-71003SV-100.0M貼片振蕩器CSA21-622.08M有源晶體振蕩器DOC050F-010.0M歐美晶振ASOF5S3-012.8M恒溫晶振DOC020F-010.0M有源晶體振蕩器ASOF5S3-019.44M歐美晶振DOCSC022F-025.0M恒溫晶振DOC020F-025.0M貼片石英晶振DOC052F-020.0M歐美晶振XH722-032.0M石英晶振OH300-61003CF-010.0M貼片石英晶振V802-074.1758M差分晶振BSOF3S3E-010.0M石英晶振V802-074.25M有源貼片晶振ASOF3S3-020.0M差分晶振V802-100.0M有源晶體ASOF3S3-012.8M有源貼片晶振V802-125.0M貼片晶振DOC102F-010.0M有源晶體OFC5DJ3BS-010.0M壓控振蕩器DOC052F-012.8M貼片晶振OFC5DJ3BS-020.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振ASOF3S3-010.0M壓控振蕩器CWX825-125.0M低功耗晶振OH300-70503CF-020.0M美國(guó)ConnorWinfield晶振CWX825-156.25M高精度晶振OHSM100-60803CF-010.0M低功耗晶振DOCSC012F-020.0M進(jìn)口晶振CWX823-032.0M高精度晶振OH300-50503CF-025.0M低相噪晶振CWX823-080.0M進(jìn)口晶振OH300-50503CF-040.0M有源晶振PM113-622.08M低相噪晶振OH300-50503CV-040.0M康納溫菲爾德晶振PM113-161.1328M有源晶振OH300-61003CF-025.0M晶振T100F-012.8M康納溫菲爾德晶振OH300-61003CV-025.0M石英晶體振蕩器OH300-50503CF-050.0M有源晶體振蕩器OH300-50503CV-050.0M美國(guó)晶振OH300-61003CF-050.0M恒溫晶振DOCSC012F-040.0M貼片振蕩器OH300-61003CV-050.0M歐美晶振OH300-50503CV-025.0M歐美晶振.
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- [技術(shù)支持]TXC有源晶振編碼7Z-38.400MDG-T2018年11月16日 09:57
7XZ-32.768KDA-T臺(tái)灣晶技晶振7Q-16.368MBG-T臺(tái)灣晶技晶振7XZ-32.768KDE-T晶振7Q-16.369MBG-T晶振7W-8.000MBB-T進(jìn)口晶振7Q-16.369MBG-T進(jìn)口晶振7W-50.000MBB-T石英晶體振蕩器7L-40.000MCS-T石英晶體振蕩器7W-50.000MBA-T可編程晶振7L-40.000MCS-T可編程晶振AU-26.000MBE-T有源晶振7Q-16.3676MBG-T有源晶振7C-40.000MBA-T臺(tái)灣TXC晶振7Q-16.3676MBG-T臺(tái)灣TXC晶振7Z-38.400MBG-T晶體振蕩器8W-12.000MBB-T晶體振蕩器6U-16.384MBE-T臺(tái)產(chǎn)晶振8W-12.000MBB-T臺(tái)產(chǎn)晶振BF-125.000MBE-T石英晶振AU-24.000MBE-T石英晶振BF-100.000MBE-T壓電石英振蕩子7Z-26.000MDS-T壓電石英振蕩子BX-100.000MBE-T貼片晶振8W-26.000MBB-T貼片晶振CX-100.000MBE-T溫補(bǔ)晶振8W-40.000MBB-T溫補(bǔ)晶振7XZ-32.768KBA-T壓控振蕩器8W-40.000MBB-T壓控振蕩器7W-25.000MBB-T有源晶體振蕩器7L-26.000MCG-T有源晶體振蕩器7W-48.000MBB-T臺(tái)灣晶技晶振7L-26.000MCG-T臺(tái)灣晶技晶振7X-19.200MBB-T晶振BB-106.250MBE-T晶振7X-30.000MBB-T進(jìn)口晶振BB-106.250MBE-T進(jìn)口晶振AW-11.2896MBE-T石英晶體振蕩器7Z-26.000MBG-T石英晶體振蕩器AU-50.000MBE-T可編程晶振7Z-38.400MDG-T可編程晶振7X-38.400MBA-T有源晶振7Z-26.000MDG-T有源晶振8W-12.000MBA-T臺(tái)灣TXC晶振8W-19.200MBA-T臺(tái)灣TXC晶振BB-125.000MBE-T晶體振蕩器8W-19.200MBA-T晶體振蕩器7W-4.096MBB-T臺(tái)產(chǎn)晶振8W-40.000MBA-T臺(tái)產(chǎn)晶振7W-40.000MBB-T石英晶振8W-40.000MBA-T石英晶振7C-26.000MBB-T壓電石英振蕩子7W-125.000MBB-T壓電石英振蕩子7C-40.000MCB-T貼片晶振7W-125.000MBB-T貼片晶振7W-66.6666MBB-T溫補(bǔ)晶振8W-24.576MBA-T溫補(bǔ)晶振7W-24.576MBA-T壓控振蕩器8W-24.576MBA-T壓控振蕩器7X-19.200MBA-T有源晶體振蕩器7W-133.330MBB-T有源晶體振蕩器BB-161.1328MBE-T臺(tái)灣晶技晶振7W-133.330MBB-T臺(tái)灣晶技晶振7X-20.000MBE-T晶振BT-156.250MBC-T晶振7X-20.000MBB-T進(jìn)口晶振BT-156.250MBC-T進(jìn)口晶振AU-33.000MBE-T石英晶體振蕩器BB-100.000MBE-T石英晶體振蕩器7WA2572007可編程晶振BB-100.000MBE-T可編程晶振6U-32.768MBE-T有源晶振BS-106.250MBC-T有源晶振BF-62.500MBE-T臺(tái)灣TXC晶振BS-106.250MBC-T臺(tái)灣TXC晶振BB-150.000MBE-T晶體振蕩器BB-133.330MBE-T晶體振蕩器BR-61.4400MBE-T臺(tái)產(chǎn)晶振BB-133.330MBE-T臺(tái)產(chǎn)晶振7N-12.800MBP-T石英晶振CB-150.000MBE-T石英晶振7N-26.000MBP-T壓電石英振蕩子CB-150.000MBE-T壓電石英振蕩子TC-3.6864MBD-T貼片晶振BF-156.250MBE-T貼片晶振TC-3.6864MBD-T溫補(bǔ)晶振BB-156.250MBE-T溫補(bǔ)晶振TC-70.000MBD-T壓控振蕩器CS-156.250MCC-T壓控振蕩器TC-70.000MBD-T有源晶體振蕩器CS-156.250MCC-T有源晶體振蕩器TD-19.200MBD-T臺(tái)灣晶技晶振BS-250.000MBC-T臺(tái)灣晶技晶振TD-19.200MBD-T晶振BS-250.000MBC-T晶振TD-3.6864MBD-T進(jìn)口晶振CT-156.250MCC-T進(jìn)口晶振TD-3.6864MBD-T石英晶體振蕩器CT-156.250MCC-T石英晶體振蕩器TD-64.000MBD-T可編程晶振BB-166.000MBE-T可編程晶振TD-64.000MBD-T有源晶振BB-166.000MBE-T有源晶振TD-7.3728MBD-T臺(tái)灣TXC晶振BS-312.500MBC-T臺(tái)灣TXC晶振TD-7.3728MBD-T晶體振蕩器BS-312.500MBC-T晶體振蕩器7W-32.000MBB-T臺(tái)產(chǎn)晶振BT-312.500MBC-T臺(tái)產(chǎn)晶振7W-32.000MBB-T石英晶振BT-312.500MBC-T石英晶振7X-19.200MBE-T壓電石英振蕩子CS-212.500MCC-T壓電石英振蕩子8W-26.000MBE-T貼片晶振CS-212.500MCC-T貼片晶振7X-30.000MBE-T溫補(bǔ)晶振BJ-61.440MBE-T溫補(bǔ)晶振7X-25.000MBE-T壓控振蕩器BJ-61.440MBE-T壓控振蕩器7X-38.400MBE-T有源晶體振蕩器CS-312.500MCC-T有源晶體振蕩器7X-48.000MBE-T臺(tái)灣晶技晶振CS-312.500MCC-T臺(tái)灣晶技晶振8W-20.000MBE-T晶振CT-312.500MCC-T晶振8W-13.000MBE-T進(jìn)口晶振CT-312.500MCC-T進(jìn)口晶振7X-50.000MBE-T石英晶體振蕩器7P-26.000MBP-T石英晶體振蕩器8W-24.000MBE-T可編程晶振7P-19.200MBP-T可編程晶振7X-26.000MBE-T有源晶振7P-25.000MBP-T有源晶振TD-4.096MBD-T臺(tái)灣TXC晶振7N-20.000MBP-T臺(tái)灣TXC晶振TD-4.096MBD-T晶體振蕩器7N-10.000MBP-T晶體振蕩器TC-33.000MBD-T臺(tái)產(chǎn)晶振7N-19.200MBP-T臺(tái)產(chǎn)晶振TC-33.000MBD-T石英晶振7N-25.000MBP-T石英晶振TD-40.000MBD-T壓電石英振蕩子BR-77.760MBE-T壓電石英振蕩子TD-40.000MBD-T貼片晶振BR-77.760MBE-T貼片晶振TD-49.152MBD-T溫補(bǔ)晶振BR-122.880MBE-T溫補(bǔ)晶振TD-49.152MBD-T壓控振蕩器BR-122.880MBE-T壓控振蕩器TC-4.000MBD-T有源晶體振蕩器BJ-122.880MBE-T有源晶體振蕩器TC-4.000MBD-T臺(tái)灣晶技晶振BJ-122.880MBE-T臺(tái)灣晶技晶振TC-16.0972MBD-T晶振CR-122.880MBE-T晶振TC-16.0972MBD-T進(jìn)口晶振CR-122.880MBE-T進(jìn)口晶振TD-24.576MBD-T石英晶體振蕩器BR-153.600MBE-T石英晶體振蕩器TD-24.576MBD-T可編程晶振CJ-153.600MBE-T可編程晶振TC-24.576MBD-T有源晶振CJ-153.600MBE-T有源晶振TC-24.576MBD-T臺(tái)灣TXC晶振BJ-156.250MBE-T臺(tái)灣TXC晶振TD-12.000MBD-T晶體振蕩器BJ-156.250MBE-T晶體振蕩器TD-12.000MBD-T臺(tái)產(chǎn)晶振7W-1.8432MBE-T臺(tái)產(chǎn)晶振TC-20.000MBD-T石英晶振7W-14.31818MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T壓電石英振蕩子7W-12.288MBB-T壓電石英振蕩子TC-12.000MBD-T貼片晶振7W-12.288MBB-T貼片晶振TC-12.000MBD-T溫補(bǔ)晶振7W-40.000MBE-T溫補(bǔ)晶振TC-36.000MBD-T壓控振蕩器7W-40.000MBE-T壓控振蕩器TC-36.000MBD-T有源晶體振蕩器TA-20.000MBD-T有源晶體振蕩器TC-16.000MBD-T臺(tái)灣晶技晶振TA-20.000MBD-T臺(tái)灣晶技晶振TC-16.000MBD-T晶振TA-22.5792MBD-T晶振TC-22.5792MBD-T進(jìn)口晶振TA-22.5792MBD-T進(jìn)口晶振TC-22.5792MBD-T石英晶體振蕩器TA-50.000MBD-T石英晶體振蕩器TD-24.000MBD-T可編程晶振TA-50.000MBD-T可編程晶振TD-24.000MBD-T有源晶振7W-14.7456MBB-T有源晶振TD-1.8432MBD-T臺(tái)灣TXC晶振7W-14.7456MBB-T臺(tái)灣TXC晶振TD-1.8432MBD-T晶體振蕩器7W-24.576MBB-T晶體振蕩器TC-64.000MBD-T臺(tái)產(chǎn)晶振7W-24.576MBB-T臺(tái)產(chǎn)晶振TC-64.000MBD-T石英晶振7W-8.192MBE-T石英晶振TC-25.000MBD-T壓電石英振蕩子7W-32.768MBE-T壓電石英振蕩子TC-25.000MBD-T貼片晶振7W-36.000MBE-T貼片晶振TC-1.8432MBD-T溫補(bǔ)晶振7C-27.000MBE-T溫補(bǔ)晶振TC-1.8432MBD-T壓控振蕩器7C-48.000MBE-T壓控振蕩器TD-22.5792MBD-T有源晶體振蕩器7W-1.544MBE-T有源晶體振蕩器TD-22.5792MBD-T臺(tái)灣晶技晶振7W-4.096MBE-T臺(tái)灣晶技晶振7C-50.000MBE-T晶振7C-40.000MBE-T晶振7WZ-32.768KBD-T進(jìn)口晶振7W-8.000MBE-T進(jìn)口晶振7WZ-32.768KBD-T石英晶體振蕩器7C-25.000MBE-T石英晶體振蕩器7XZ-32.768KBE-T可編程晶振7W-6.000MBE-T可編程晶振7W-8.192MBB-T有源晶振7W-10.000MBE-T有源晶振7W-4.000MBB-T臺(tái)灣TXC晶振7W-50.000MBE-T臺(tái)灣TXC晶振7W-4.000MBB-T晶體振蕩器7W-24.000MBE-T晶體振蕩器7L-16.368MCG-T臺(tái)產(chǎn)晶振7W-33.333MBE-T臺(tái)產(chǎn)晶振7L-16.368MCG-T石英晶振7W-24.576MBE-T石英晶振TC-125.000MBD-T壓電石英振蕩子7W-25.000MBE-T壓電石英振蕩子TC-125.000MBD-T貼片晶振7W-10.000MAB-T貼片晶振7C-25.000MCB-T溫補(bǔ)晶振7W-48.000MBE-T溫補(bǔ)晶振7Q-40.000MBS-T壓控振蕩器7W-40.000MAB-T壓控振蕩器7W-4.096MBA-T有源晶體振蕩器7W-40.000MAB-T有源晶體振蕩器7W-12.288MBA-T臺(tái)灣晶技晶振7W-20.000MAB-T臺(tái)灣晶技晶振7W-10.000MBA-T晶振7W-20.000MAB-T晶振AC-4.000MAE-T進(jìn)口晶振7W-14.31818MAB-T進(jìn)口晶振7X-24.576MBB-T石英晶體振蕩器7W-14.31818MAB-T石英晶體振蕩器7X-12.000MBB-T可編程晶振7W-24.000MAB-T可編程晶振7X-12.000MBB-T有源晶振7W-24.000MAB-T有源晶振7X-50.000MBB-T臺(tái)灣TXC晶振TB-1.8432MBD-T臺(tái)灣TXC晶振7X-25.000MBB-T晶體振蕩器TB-1.8432MBD-T晶體振蕩器7X-25.000MBB-T臺(tái)產(chǎn)晶振TB-70.000MBD-T臺(tái)產(chǎn)晶振7C-26.000MBA-T石英晶振TB-70.000MBD-T石英晶振7X-48.000MBB-T壓電石英振蕩子TB-30.000MBD-T壓電石英振蕩子7X-26.000MBB-T貼片晶振TB-30.000MBD-T貼片晶振7C-24.576MBA-T溫補(bǔ)晶振TA-11.0592MBD-T溫補(bǔ)晶振AU-14.31818MBE-T壓控振蕩器TA-11.0592MBD-T壓控振蕩器AU-48.000MBE-T有源晶體振蕩器TC-50.000MBD-T有源晶體振蕩器AU-48.000MBE-T臺(tái)灣晶技晶振TC-50.000MBD-T臺(tái)灣晶技晶振AU-12.000MBE-T晶振TA-13.000MBD-T晶振AU-12.000MBE-T進(jìn)口晶振TA-13.000MBD-T進(jìn)口晶振AU-12.288MBE-T石英晶體振蕩器TA-12.288MBD-T石英晶體振蕩器AU-25.000MBE-T可編程晶振TA-12.288MBD-T可編程晶振AU-27.000MBE-T有源晶振TA-33.000MBD-T有源晶振7X-30.000MBA-T臺(tái)灣TXC晶振TA-33.000MBD-T臺(tái)灣TXC晶振7X-30.000MBA-T晶體振蕩器TC-24.000MBD-T晶體振蕩器7X-12.000MBA-T臺(tái)產(chǎn)晶振TC-24.000MBD-T臺(tái)產(chǎn)晶振7X-12.000MBA-T石英晶振TB-22.1184MBD-T石英晶振7X-26.000MBA-T壓電石英振蕩子TB-22.1184MBD-T壓電石英振蕩子7X-25.000MBA-T貼片晶振TA-6.000MBD-T貼片晶振7X-48.000MBA-T溫補(bǔ)晶振TA-6.000MBD-T溫補(bǔ)晶振7X-48.000MBA-T壓控振蕩器TD-33.33333MBD-T壓控振蕩器7L-19.200MCS-T有源晶體振蕩器TD-33.33333MBD-T有源晶體振蕩器.
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- [新聞動(dòng)態(tài)]MEMS振蕩器多年被傳將搶奪石英晶體振蕩器市場(chǎng)實(shí)屬謠言2018年06月06日 17:24
- 這幾年來(lái)也被頻繁的傳出,MEMS可編程晶振將會(huì)取代石英晶體振蕩器,成為晶體市場(chǎng)的新"寵兒",甚至?xí)耆娑加锌赡?不可否認(rèn)的是MEMS有源晶體振蕩器確認(rèn)有非常大的優(yōu)勢(shì),靈活性強(qiáng),穩(wěn)定性和耐熱性能也比OSC晶振要好很多,但市場(chǎng)趨勢(shì)還是以石英晶體振蕩器為主.因?yàn)?/span>MEMS技術(shù)雖然已經(jīng)有很多廠家都在研究,并且也獲得成功,但遠(yuǎn)沒有普通有源晶振那樣談及,而且成本比較高,偏僻的頻率使用的客戶也少.
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- [常見問(wèn)題]優(yōu)質(zhì)的石英晶振要透過(guò)哪些方法來(lái)分析驗(yàn)證?2017年09月04日 17:25
- 原來(lái)晶振在通電情況下會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng),然后與振蕩電路產(chǎn)生諧振現(xiàn)象,從而經(jīng)過(guò)放大驅(qū)動(dòng)和輸出電路輸出標(biāo)準(zhǔn)頻率信號(hào).基本上多數(shù)的晶振原理都是這樣,但是適用范圍不一樣,所以晶振可以分為三類:晶體振蕩器,溫補(bǔ)晶振,恒溫晶體振蕩.
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