日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

愛普生品牌系列千赫子的石英晶振,目前占據(jù)了中國市場進(jìn)口晶25％的份額,品牌質(zhì)量,貨期,品種,品質(zhì)是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機(jī)模塊啟用開始,在到國內(nèi)外各大知名品牌手機(jī),最后應(yīng)用到國內(nèi)山寨手機(jī)市場,幾乎占據(jù)80％的手機(jī)行業(yè)晶振類別,產(chǎn)品本身特點是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應(yīng)用自動貼片方便.愛普生晶振小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn).

EPSON晶體,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振,英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠，點膠點點在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品貼片晶振被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG5032CAN	38.880972 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG5032CAN	24.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-100 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG5032CAN	24.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG5032CAN	50.001250 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 2.6 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	133.333000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	133.330000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0044510183	SG5032CAN	38.880972 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0044510184	SG5032CAN	24.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-100 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0044510185	SG5032CAN	24.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0044510186	SG5032CAN	50.001250 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 2.6 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0044610001	SG5032CBN	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610002	SG5032CBN	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610003	SG5032CBN	133.333000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610004	SG5032CBN	133.330000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在石英貼片晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會有所差別。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振

晶振產(chǎn)品的設(shè)計和生產(chǎn)直到出廠,都會經(jīng)過嚴(yán)格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了金屬面晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲,安 裝,運(yùn)輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。

機(jī)械振動的影響:當(dāng)石英振蕩器產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

1、振蕩電路：晶體諧振器是無源元件，因此受到5032M有源晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。2。角色的分量與參考值：在振蕩電路的設(shè)計中，必須認(rèn)識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，LVDS晶振也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振

測試條件：(1) 電源電壓超過150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量程控交換系統(tǒng)晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過有源晶振的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）

驅(qū)動能力：驅(qū)動能力說明5032有源晶振所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。