日本精工愛(ài)普生接受了中國(guó)蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件（蘇州）有限公司】 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson Toyocom）是精工愛(ài)普生株式會(huì)社與愛(ài)普生（中國(guó)）有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司（外商合資）.目前注冊(cè)資本2500萬(wàn)美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來(lái)西亞量產(chǎn).蘇州愛(ài)普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

精工愛(ài)普生株式會(huì)社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡(jiǎn)稱為“愛(ài)普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國(guó)區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛(ài)普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國(guó)蘇州愛(ài)普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因?yàn)橹悄苁謾C(jī),以及GPS衛(wèi)星導(dǎo)航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號(hào),愛(ài)普生料號(hào)等.

EPSON晶體,有源晶振,SG5032CCN晶振,X1G0044710003晶振,石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì)：石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單，第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求。

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面石英晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

愛(ài)普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG5032CBN	133.333330 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	90.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	148.500000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	80.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CCN	32.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG5032CCN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG5032CCN	8.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG5032CCN	16.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0044610019	SG5032CBN	133.333330 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610021	SG5032CBN	90.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610022	SG5032CBN	148.500000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610023	SG5032CBN	80.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044710003	SG5032CCN	32.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0044710004	SG5032CCN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0044710005	SG5032CCN	8.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0044710006	SG5032CCN	16.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>貼片石英晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CCN晶振,X1G0044710003晶振

晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英進(jìn)口晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。

機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管OSC晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CCN晶振,X1G0044710003晶振

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于CMOS輸出5032晶振的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3pF的范圍內(nèi)-33pF左右，僅供參考。

此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。5032低抖動(dòng)有源晶振振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

振蕩補(bǔ)償:除非在小體積貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。